[하비엔뉴스 = 이지희 기자] 삼성전자는 업계 최초로 ‘1Tb(테라비트) QLC(쿼드 레벨 셀) 9세대 V낸드’를 양산했다고 12일 밝혔다.
삼성 9세대 V낸드는 ‘채널 홀 에칭’ 기술을 활용해 더블 스택 구조로 업계 최고 단수 및 셀과 페리의 면적을 최소화해 이전 세대 QLC V낸드 대비 약 86% 증가한 비트 밀도를 구현했다.
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| 삼성전자의 ‘QLC 9세대 V낸드’. [사진=삼성전자] |
또 층간·층별 셀 특성을 균일하게 유지하기 위해 WL(워드라인)의 간격을 조절해 적층하는 ‘디자인드 몰드’ 기술을 적용해 데이터 보존 성능을 이전 제품보다 약 20% 높였고, 셀의 상태 변화를 예측해 불필요한 동작을 최소화하는 ‘예측 프로그램 기술’로 이전 세대 QLC 제품 대비 쓰기 성능과 데이터 입출력 속도를 각각 100%, 60% 개선했다.
특히 낸드 셀을 구동하는 전압을 낮추고 필요한 BL(비트라인)만 센싱해 전력 소모를 최소화한 ‘저전력 설계 기술’을 적용해 데이터 읽기·쓰기 소비 전력을 각각 약 30%, 50% 감소시켰다.
허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 부사장은 “9세대 TLC 양산 4개월 만에 9세대 QLC V낸드 양산에 성공함으로써 AI용 고성능·고용량 SSD 시장이 요구하는 최신 라인업을 모두 갖췄다”라고 말했다.
한편 삼성전자는 브랜드 제품을 시작으로 향후 모바일 UFS, PC 및 서버SSD 등 QLC 9세대 V낸드 기반 제품 응용처를 점차 확대할 계획이다.
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