업계 "샘플 출하와 실제 공급은 별개"
[HBN뉴스 = 이동훈 기자] 삼성전자가 차세대 AI 가속기용 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 공급하며 HBM4 이후 세대 경쟁에 들어갔다. 업계에서는 실제 시장 주도권은 고객사 인증과 AI 가속기 플랫폼 채택 그리고 양산 전환 속도에 따라 갈릴 것으로 전망한다.
삼성전자는 차세대 AI 가속기용 ‘HBM4E 12단’ 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다고 29일 밝혔다.
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| 삼성전자는 HBM4E 12단 제품을 고객사에 공급했다고 밝혔다. [사진=삼성전자] |
이번 제품은 1c D램과 4나노 로직 다이를 적용한 것이 특징이다. 삼성전자에 따르면 HBM4E 12단 제품은 핀당 14Gbps 속도로 안정적으로 동작하며, 최대 16Gbps까지 구현할 수 있다. 단일 스택 기준 대역폭은 초당 3.6TB 수준이다.
용량도 확대됐다. HBM4E 12단 제품은 48GB 용량을 구현했다. 삼성전자는 향후 고객사 수요에 맞춰 32GB 8단, 64GB 16단 제품까지 라인업을 확대한다는 계획이다.
이번 샘플 출하는 삼성전자가 HBM4 이후 세대 준비 속도를 높이는 행보로 해석된다. 삼성전자는 앞서 지난 2월 HBM4 양산 출하를 발표한 바 있다.
당시 회사는 1c D램과 4나노 로직 베이스 다이를 적용해 성능과 전력 효율, 신뢰성을 높였다고 설명했다.
업계에서는 삼성전자의 HBM4E 샘플 출하를 ‘선제적 포석’으로 평가하면서도, 향후 관건은 고객사 인증과 플랫폼 채택 여부라고 지적한다.
업계 관계자는 “샘플 출하가 곧바로 대규모 공급을 의미하는 것은 아니다”며 “HBM은 GPU와 AI 가속기, 첨단 패키징 구조와 함께 검증되는 부품”이라고 전했다.
그는 “실제 매출과 점유율 확대는 고객사의 품질 검증, 시스템 패키지 테스트, 양산 수율 확보, 공급 물량 배정 등을 거쳐야 가능하다”고 덧붙였다.
최근 HBM4 경쟁에서도 이 같은 인증 장벽이 주요 변수로 거론된다. 엔비디아가 차세대 AI 가속기용 HBM4 요구 사양을 높이면서 주요 메모리 업체들이 설계 보완과 샘플 재제출 과정을 거친 것으로 알려졌다.
대만 IT 전문 매체 디지타임스(DigiTimes) 등 외신과 글로벌 증권가에 따르면, 지난해 마이크론의 HBM4 샘플이 엔비디아의 핀 속도와 신호 무결성 요구를 충족하지 못해 재설계에 돌입한 것으로 알려졌다.
이 같은 흐름은 HBM 시장에서 샘플 출하와 고객사 인증 사이에 상당한 기술적 간극이 있다는 점을 보여주는 사례로 해석된다. 특정 업체가 먼저 샘플을 공급하더라도 고객사의 최종 퀄 테스트를 통과하고, 실제 AI 가속기 플랫폼에 채택돼 안정적으로 양산되는 단계까지는 별도의 검증 과정이 남아 있기 때문이다.
대규모 언어모델과 AI 데이터센터의 연산 부담이 커지면서 전력 효율과 발열 관리도 주요 변수로 거론된다. 삼성전자는 이번 HBM4E 제품의 에너지 효율이 전작 대비 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 개선됐다고 설명했다.
경쟁사들도 고객 플랫폼 중심의 HBM 전략을 강화하고 있다. SK하이닉스는 차세대 HBM의 핵심인 베이스 다이 성능을 높이기 위해 TSMC와 협력을 확대하고 있다. 특히 HBM4E 단계에서는 TSMC의 3나노급 로직 공정 활용 가능성이 거론되며, 전력 효율과 고객 맞춤형 설계 경쟁에서 우위를 유지하려는 전략으로 풀이된다.
삼성전자가 강조하는 차별점은 메모리와 파운드리, 시스템LSI, 첨단 패키징을 함께 제공하는 원스톱 솔루션이다. HBM4E에 1c D램과 자체 4나노 로직 다이를 적용했다는 점은 삼성의 메모리 기술뿐 아니라 파운드리와 패키징 역량까지 함께 검증받는 구조라는 평가가 나온다.
삼성전자에도 과제는 남아 있다. HBM4E에 적용된 1c D램은 성능 우위를 노린 최선단 공정이지만, 그만큼 공정 난도도 높다. 게다가 HBM은 고부가 제품이지만, 수율이 충분히 올라오지 않으면 원가 부담이 커질 수 있다.
업계 관계자는 “‘세계 최초’라는 수식어보다 고객사 인증, 플랫폼 채택, 양산 전환 속도, 실제 공급 물량 입증이 중요하다”고 강조했다.
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