[HBN뉴스 = 이동훈 기자] 삼성전자가 차세대 3차원 메모리 구조인 ‘zHBM’과 ‘zNAND-O’를 처음 공개하며 인공지능 인프라용 메모리 기술 경쟁력 강화에 나섰다.
삼성전자는 4일부터 6일까지 열리는 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열리는 ‘FMS 2026’에 참가해 zHBM과 zNAND-O 목업, 400단 이상의 10세대 V낸드 등을 선보였다고 5일 밝혔다.
삼성전자는 행사장에 AI 클라우드 서버를 형상화한 전시 공간을 마련하고 D램과 낸드, 스토리지 등 약 30개 제품을 전시했다.
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| 삼성전자가 미국에서 열린 ‘FMS 2026’에서 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O 목업, 400단 이상의 V10 BV낸드 등을 공개했다. 사진은 V10 BV-NAND 제품 [사진=삼성전자] |
zHBM은 기존처럼 AI 가속기 옆에 고대역폭메모리를 배치하는 방식에서 벗어나 가속기 위에 HBM을 수직으로 쌓는 차세대 구조다.
메모리와 가속기 사이 데이터 이동 거리를 줄여 대역폭과 전력효율을 높이는 방식이다. 삼성전자는 zHBM 적용 차세대 인터페이스 시스템이 HBM5보다 최대 8배 높은 성능과 최대 3배 향상된 전력효율을 제공할 수 있다고 설명했다.
메모리와 AI 가속기 사이 인터레이어에는 고객 맞춤형 설계자산을 추가해 메모리 용량과 가속기 성능 등을 고객 요구에 맞게 조정할 수 있다.
zNAND-O는 온디바이스 AI 환경을 겨냥한 차세대 고성능 낸드 솔루션이다. 기존 V낸드 적층 기술에 실리콘관통전극 기술을 결합해 반도체 칩을 4단 또는 8단으로 쌓는 구조다.
높은 공간 효율성과 데이터 전송 속도, 빠른 응답 성능을 바탕으로 기기 내부에서 대규모 데이터를 실시간 처리하는 용도로 개발 중이다.
삼성전자는 400단 이상의 ‘V10 BV낸드’도 업계 최초로 공개했다. 웨이퍼 본딩과 3스택 기술을 적용해 집적도를 전 세대보다 약 58% 높였다. 데이터 읽기·쓰기와 입출력 속도도 개선했다.
차세대 AI 메모리 제품군도 함께 선보였다. 전시 제품에는 HBM4E와 HBM5, LPDDR5X-PIM, 기업용 솔리드스테이트드라이브인 PM1763과 BM1773 등이 포함됐다.
HBM5에는 열을 외부로 효과적으로 전달하는 새로운 열관리 기술을 적용해 대역폭과 용량을 확대할 계획이다. LPDDR5X-PIM은 메모리 내부에서 일부 연산을 수행해 데이터 이동과 전력 소모를 줄이는 제품이다.
삼성전자는 메모리와 로직, 파운드리, 패키징을 함께 제공하는 사업구조를 바탕으로 고객의 AI 반도체 설계부터 양산까지 지원한다는 방침이다.
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