SK하이닉스, 세계 최초 양산 체제 구축...시장 주도
[HBN뉴스 = 이동훈 기자] 삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 고대역폭 메모리(HBM) HBM4 공급을 앞두고 양강 체제를 본격화하고 있다. 업계는 두 기업이 모두 엔비디아 품질 테스트(퀄)를 무리 없이 통과할 가능성이 높다고 보고 있으며, 이르면 올해 4분기부터 공급이 시작돼 AI 메모리 패권 경쟁이 정면 대결 구도로 전개될 것이라는 전망을 제기한다.
25일 김동원 KB증권 리서치본부장은 “HBM4 품질 테스트가 예상보다 빠르게 통과될 가능성이 매우 높아졌다”며 “AI 서버용 메모리 수요 폭증과 맞물려 4분기 실적은 시장 기대치를 크게 상회할 것”이라고 전망했다.
반도체 업계 관계자들도 “삼성 HBM4 퀄 테스트가 순조롭게 진행되고 있으며 곧 승인 통과 분위기”라고 전했다.
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| 삼성전자와 SK하이닉스 [사진=연합뉴스] |
삼성 내부에서는 HBM3E 때 나타났던 발열·전력 문제 대응의 한계를 극복하며 분위기가 크게 반전된 것으로 알려졌다. 삼성전자는 3분기 실적 발표에서 HBM4 개발 완료 및 전 고객사 샘플 출하를 완료했다고 공식 확인했다.
또한 경쟁사 대비 한 세대 앞선 1c D램(6세대 10나노급) 기술 기반으로 HBM4를 개발했으며, 핵심 개발 인력에 자사주 4억8139만원 인센티브를 지급해 목표 달성에 대한 자신감을 드러냈다.
엔비디아 역시 지난달 31일 APEC CEO 서밋 자료에서 삼성과 ‘HBM3E·HBM4 공급 협력’ 관계를 명시했다.
이 보다 앞서 SK하이닉스는 세계 최초로 HBM4 개발을 완료하고 양산 체제를 구축했다. 올해 3분기 실적 콜에서는 4분기부터 HBM4 출하를 시작하고 전 주요 고객사와 공급 협의를 이미 마쳤다고 밝혔다.
SK하이닉스는 “HBM4 개발 성공은 업계의 새 이정표”라며 “고객이 요구하는 성능·전력 효율·신뢰성을 모두 충족해 시장 경쟁 우위를 확보했다”고 강조했다.
SK하이닉스 HBM4는 HBM3E 대비 2배 대역폭(2,048 I/O), 전력 효율 40% 개선, AI 서비스 성능 최대 69% 상승을 실현했다. 또한 JEDEC 표준(8Gbps)을 넘는 10Gbps급 초고성능을 구현했다.
이는 SK하이닉스 고유의 어드밴스드 MR-MUF 패키징 기술 및 10나노급 5세대(1bnm) D램 공정을 기반으로 제작돼, 양산 리스크를 최소화했다는 평가다.
김주선 SK하이닉스 AI Infra 사장은 “HBM4는 AI 인프라 한계를 뛰어넘는 상징적 전환점”이라며 “풀 스택 AI 메모리 프로바이더로 성장하겠다”고 말했다.
두 회사 모두 퀄 테스트를 통과할 경우 올해 4분기~내년 초 사이 HBM4 공급이 시작되며, 엔비디아는 내년 1분기 루빈(Rubin) AI 가속기 탑재용 HBM4 최종 테스트를 마무리할 계획이다.
젠슨 황 엔비디아 CEO는 최근 “엔비디아의 성장을 위해 두 회사(삼성전자·SK하이닉스)의 역량 모두가 필요하다”고 언급했다.
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